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半导体激光器（也被称为激光二极管或LD）的发光过程与其他类型的激光器相比具有一些独特的特点，以下是它们的主要特点：
1、结构：半导体激光器通常由直接带隙材料制成，如砷化镓（GaAs）或氮化铟镓（InGaN），这些材料在微芯片上形成光波导结构，可以产生激光辐射。
2、发光机制：与其他激光器不同，半导体激光器通过电子和空穴的复合产生光辐射，当施加电压时，电子从价带注入导带，形成粒子数反转分布，然后在谐振腔中形成光放大并产生激光辐射。
3、高效：半导体激光器具有很高的光电转换效率，能够将电能高效地转换为光能，这使得它们在许多应用中具有很高的能效和可靠性。
4、调制特性：半导体激光器具有出色的光学调制特性，可以轻松地通过改变注入电流或外部调制信号来实现光强的快速调制，这使得它们在通信和数据传输等领域具有广泛的应用。
至于半导体激光器使用的电压，这取决于具体的设备和应用，半导体激光器需要较高的电压来驱动电子通过PN结并产生激光辐射，具体的电压值会因设备设计、材料和工作条件等因素而有所不同，这些电压可能在几伏到几百伏的范围内。
半导体激光器具有高效、紧凑、易于调制等特点，广泛应用于通信、数据存储、打印、医疗和许多其他领域，它们的电压需求因具体设备和应用而异，需要根据实际情况来确定。